临猗有匮文化有限公司

你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

Si7192DP:Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET

發(fā)布時間:2008-03-26

產(chǎn)品特性:Si7192DP:Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET

  • PowerPAK SO-8 封裝
  • 4.5V 柵極電壓時有2.25 毫歐最大導(dǎo)通電阻
  • 導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積為 98

應(yīng)用范圍:

  • 穩(wěn)壓器模塊、服務(wù)器
  • 使用負載點功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)

日前,Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件,該器件具有破紀錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。

新型 TrenchFET第三代 Si7192DP是一款采用 PowerPAK SO-8 封裝的 n 通道器件,在 4.5V 柵極驅(qū)動電壓時具有 2.25 毫歐的最大導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中針對 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM),該值為 98,是任何采用 SO-8 封裝的 VDS= 30V、VGS= 20 V 器件的新業(yè)界標準。與分別為實現(xiàn)低導(dǎo)通損失及低開關(guān)損失而優(yōu)化的最接近競爭器件相比,這些代表了市場上最佳的現(xiàn)有規(guī)格。更低的導(dǎo)通電阻及更低的柵極電荷分別可轉(zhuǎn)變成更低的傳導(dǎo)損失及更低的開關(guān)損失。

Vishay Siliconix Si7192DP 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級同步整流及 OR-ing 應(yīng)用中作為低端 MOSFET。其低導(dǎo)通及開關(guān)損失將使穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負載點 (POL) 功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)實現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計。

目前,Si7192DP 控制器的樣品和量產(chǎn)批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 10~12 周。

要采購開關(guān)么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉

林西县| 二连浩特市| 南木林县| 竹北市| 乐东| 罗田县| 赣州市| 昔阳县| 壤塘县| 寻乌县| 秦皇岛市| 甘孜县| 秀山| 寿光市| 靖西县| 龙里县| 佛冈县| 冀州市| 承德市| 平阴县| 佛学| 绥化市| 高雄县| 雅安市| 安徽省| 彰化市| 高雄县| 永济市| 阿克苏市| 辽阳县| 永兴县| 三河市| 海伦市| 栾城县| 荆州市| 韶山市| 绥芬河市| 克拉玛依市| 庄河市| 玛多县| 车致|