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解鎖AI設(shè)計潛能，ASO.ai如何革新模擬IC設(shè)計
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時代，半導(dǎo)體行業(yè)作為眾多前沿技術(shù)的基石，正面臨著前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。隨著電子系統(tǒng)越來越復(fù)雜，芯片電路設(shè)計也變得更為復(fù)雜，這導(dǎo)致了更長的設(shè)計周期、更高的開發(fā)成本以及更大的錯誤風(fēng)險。
2025-02-01
AI ASO.ai 模擬IC
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汽車拋負(fù)載Load Dump
在汽車電子中，load dump指的是低壓電池在充電時與車輛的發(fā)電機(jī)突然斷開連接。由于電池的突然斷開，其余被接在發(fā)電機(jī)總線上的負(fù)載會承受非常大的浪涌電壓。這個浪涌電壓的峰值可能高達(dá)120V并且持續(xù)時間長達(dá)400ms才會衰減，這會對車載的低壓用電設(shè)備造成成噸的傷害。所以通常12V的系統(tǒng)需要鉗位到40V...
2025-02-01
汽車 負(fù)載 Load Dump
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50%的年長者可能會聽障？！救贖的辦法在這里
據(jù)《中國聽力健康現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢》統(tǒng)計，我國 65 歲以上老年人約 1/3 存在中度以上聽力損失，75 歲以上老年人中這一數(shù)字上升到約 1/2 。中國老年聽障群體規(guī)模達(dá)到了 1.2 億。每三位老年人就會有一個中、重度甚至是極重度的聽障患者。
2025-02-01
聽障 助聽
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ADI 多協(xié)議工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)
隨著工業(yè)4.0進(jìn)程的推進(jìn)，市面上急需能夠融合多種協(xié)議的工業(yè)以太網(wǎng)方案，以實現(xiàn)工業(yè)現(xiàn)場數(shù)據(jù)無縫互聯(lián)的愿景。ADI近幾年不斷完善推出的Chronous系列產(chǎn)品，不僅加速了客戶工業(yè)以太網(wǎng)通信類產(chǎn)品的上市，前瞻性的技術(shù)特性，也讓客戶的產(chǎn)品更具技術(shù)競爭力和生命周期長久性。本文將重點介紹ADI的多協(xié)議工業(yè)...
2025-01-29
ADI 工業(yè)以太網(wǎng) 交換機(jī)
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攻略：7種傾斜傳感器的設(shè)計選擇
本文介紹了傾斜傳感器的種類與選擇技巧，介紹了它們的工作原理、特點、優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域。此外，文章還討論了傾斜傳感器在應(yīng)用時可能面臨的問題，并提供了相應(yīng)的解決方案。最后，文章總結(jié)了各種傾斜傳感器的應(yīng)用特性，強(qiáng)調(diào)了在選擇傾斜傳感器時需要綜合考慮各種因素，以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。
2025-01-29
傾斜傳感器
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有源蜂鳴器與無源蜂鳴器的發(fā)聲原理是什么
有源蜂鳴器是一種內(nèi)置振蕩電路的蜂鳴器。其主要特點是，內(nèi)部已經(jīng)集成了驅(qū)動電路，能夠自動產(chǎn)生聲響。使用時，只需給它提供適當(dāng)?shù)碾妷海ㄒ话銥橹绷麟妷海?，它就會自動發(fā)聲。
2025-01-26
有源蜂鳴器 無源蜂鳴器
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使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進(jìn)行功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測試
SiC器件的快速開關(guān)特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達(dá)到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應(yīng)商Qorvo與Tektronix合作，基于實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。
2025-01-26
MSO AWG 功率半導(dǎo)體器件 雙脈沖測試
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MOS管在開關(guān)電源中的核心作用及其關(guān)鍵性能參數(shù)對設(shè)計的影響
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開關(guān)電源設(shè)計中扮演著至關(guān)重要的角色。開關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管...
2025-01-25
MOS管 開關(guān)電源
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第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
工業(yè)用 SiC 功率模塊
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