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MOS管的G、S、D三個(gè)引腳解析

發(fā)布時(shí)間:2018-10-18 責(zé)任編輯:xueqi

【導(dǎo)讀】MOS管熱釋電紅外傳感器的感應(yīng)窗口,G腳為接地端,D腳為內(nèi)部MOS管漏極,S腳為內(nèi)部MOS管源極。在電路中,G接地,D接電源正,紅外信號從窗口輸入,電信號從S輸出。
 
G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S,輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。
 
這是MOS管熱釋電紅外傳感器,那個(gè)矩形框是感應(yīng)窗口,G腳為接地端,D腳為內(nèi)部MOS管漏極,S腳為內(nèi)部MOS管源極。在電路中,G接地,D接電源正,紅外信號從窗口輸入,電信號從S輸出。
 
 
判斷柵極G
 
MOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭,在點(diǎn)評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率,MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻,易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,假如G信號驅(qū)動能力不夠,將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間。
 
將G-S極短路,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大,并且交換表筆后仍為無限大,則證實(shí)此腳為G極,由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。
 
判斷源極S、漏極D
 
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。因?yàn)闇y試前提不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。
 
關(guān)于MOS管
 
晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。
 
無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng),因此在開關(guān)應(yīng)用中,MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。
 
 
場效應(yīng)管的名字也來源于它的輸入端(稱為gate)通過投影一個(gè)電場在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。
 
這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
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